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物理與電子工程學(xué)院余俊宏教授團(tuán)隊(duì)在Nano Letters上發(fā)表最新研究成果

近日,我校物理與電子工程學(xué)院量子材料超快光譜研究團(tuán)隊(duì)在Nano Letters(物理:凝聚態(tài)物理一區(qū)TOP,影響因子:9.1)上發(fā)表題為“Superior Multiple Exciton Generation in Ecofriendly Ag2Se Colloidal Quantum Dots”的研究成果,我校余俊宏教授為第一作者兼通訊作者,劉佰全副教授和余學(xué)超研究員為共同通訊作者,我校為第一完成單位,中科院蘇州納米所和中山大學(xué)為合作單位。

在光電領(lǐng)域,多激子生成(MEG)是一種能夠顯著提升光電轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵技術(shù),它通過(guò)單個(gè)高能光子產(chǎn)生多個(gè)電子-空穴對(duì)(激子),從而有效減少熱載流子的能量耗散。然而,目前實(shí)現(xiàn)高效MEG的材料大多含有重金屬元素,如鉛、汞和鎘等,這些材料存在毒性,限制了其在可持續(xù)光電技術(shù)中的應(yīng)用。同時(shí),大多數(shù)環(huán)保型材料由于其帶隙結(jié)構(gòu)和載流子動(dòng)力學(xué)特性,難以實(shí)現(xiàn)高效的多激子生成。

研究團(tuán)隊(duì)首次在低毒性Ag2Se膠體量子點(diǎn)(CQDs)中實(shí)現(xiàn)了卓越的多激子生成特性。這些量子點(diǎn)不僅具有接近1 eV的最優(yōu)帶隙,適合陽(yáng)光吸收,還展示了稀疏的態(tài)密度,從而延緩了熱載流子的冷卻過(guò)程,使得MEG的閾值能量接近理論極限(約2.26倍帶隙能量),轉(zhuǎn)換效率高達(dá)約91%。同時(shí),研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)超快光譜學(xué)技術(shù)測(cè)量了不同激發(fā)光能量下的激子動(dòng)力學(xué),揭示了MEG過(guò)程中的逆俄歇效應(yīng),有效解釋了Ag2Se CQDs中MEG的低閾值和高效率特性。

這項(xiàng)研究為開(kāi)發(fā)下一代環(huán)保型高效光伏器件提供了新的材料選擇。Ag2Se CQDs的溶液加工性、高M(jìn)EG效率和接近1 eV的帶隙使其成為擴(kuò)展熱載流子光電器件的理想材料。

圖:Ag2Se膠體量子點(diǎn)中的多激子生產(chǎn)機(jī)理

原文鏈接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.5c03143

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